Les Timings mémoires
Contrairement à une fréquence DDR plus élevée que celle du FSB qui n’augmente guère voir bride les performances, les réglages des timings mémoires quant à eux apportent de réels gains. Les gains en test applicatifs peuvent aller jusqu’à 10 %. Plus les valeurs des indices de latence sont basses, meilleures seront les performances, mais plus grand sera le risque d’instabilité.
Pour allier performances et stabilité, il faut se munir de barrettes haut de gamme d’une grande marque (Corsair, Mushkin, OCZ, A-Data, Twinmos...). Elles sont souvent spécifiées «Low Latency» ou «CAS 2».
Souvent les Timings d’une barrette sont donnés dans l’ordre même si cet ordre peut différer selon les BIOS, ce qui nous donne par exemple pour une barette Corsair XL estampillée 2-2-2-5 :
2 = Cas Latency ou Latence CAS tCL (1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0) (Le temps de latence CAS, le délai de timing CAS) Le nombre de cycles d’horloge qui s’écoulent entre l’adressage à une colonne et l’arrivée des données dans le registre de sortie. Le fabricant de mémoire indique souvent les meilleurs réglages possibles en tant que CL.
2 = Active to CMD Délai RAS-vers-CAS tRCD (2/ 3/ 4/ 5) Le nombre de cycles d’horloge qui s’écoulent entre la détermination de l’adresse de rangées et l’envoi de l’adresse de colonnes. Régler cette valeur à 2 cycles peut améliorer la vitesse de 4%. C’est le temps minimum pour accéder à une ligne, après avoir identifié la colonne.
2 = Precharge to Active ou Temps de pré-chargement RAS tRP (2/ 3) Le nombre de cycles d’horloge nécessaires pour pré-charger les circuits de façon à ce que l’adresse de rangées puisse être déterminée.
5 = TRAS ou Temps d’Activité de la rangée tRAS (5/ 6/ 7) (délai entre Activité et pré-chargement, état d’attente de pré-chargement, délai d’Activité de la rangée, délai de pré-chargement de la rangée) Le délai résultant quand deux rangées différentes d’une puce mémoire sont adressées l’une après l’autre.
Et il en reste un :
DRAM command rate ou Taux de commande CMD (1/ 2) (Taux de commande, MA 1T/2T Select) Le nombre de cycles d’horloge nécessaires pour s’adresser au module mémoire et à la puce mémoire avec la zone de données désirée. Si les banques mémoires sont remplies complètement, il faut élever ce taux à 2, ce qui fait considérablement chuter la vitesse. C’est donc, au même titre que le 'CAS Latency' un temps d’accés du premier ordre, et il a autant d’importance.
Normalement grâce au «SPD», le BIOS reconnaît la mémoire et affecte automatiquement les paramètres optimums. Ce système lit les informations propres à la DDR dans une petite mémoire morte présente sur la barrette. On peut généralement désactiver le «SPD» pour affecter soi-même les timings. Selon les différents BIOS, les marges de manœuvres seront différentes. Il arrive qu’il faille augmenter la tension d’alimentation de la DDR, de 0,10 à 0,30 Volt au maximum, pour gagner en stabilité si on veut affecter des timings agressifs mais attention à la surchauffe.
Par exemple, d’après un test Hardware.fr, avec deux barrettes de Mushkin Dual Pack PC3500 Black ou de Corsair TWINX512-3200LL (puces Winbond BH5) sur un chipset i865PE, un réglage pour le meilleur rapport performances/stabilité, avec une fréquence de CPU et de RAM à 200 MHz et une tension d’alimentation de la DDR par défaut (soit 2,55 Volt), serait 2 - 3 - 3 - 8. Avec un tension de 2,65 Volt, on peut affecter des valeurs encore plus agressives comme 2 - 2 - 2 - 6 ou 2.5 - 2 - 2 - 8. Un timing dit lent serait 2.5 - 3 - 3 - 8 avec la tension par défaut. Sur un chipset nForce2 400 Ultra, les timings sont les mêmes sauf que l’on garde la tension d’alimentation d’origine (2,6 V) qui suffit.
