Dans un futur proche Toshiba et Infinéon s’accordent à dire que la FeRAM (basée sur des cristaux ferroélectriques) pourrait bien remplacer la mémoire Flash: toutes deux sont des mémoires non-volatiles, c’est-à-dire qu’elles conservent leurs données même non alimentées. La différence majeure avec la FeRAM c’est la vitesse!
Même si les travaux sur la FeRAM ne datent pas d’hier, il arrive qu’aujourd’hui elle avance à grands pas: les deux partenaires cités plus haut ont annoncés que leurs nouveaux modules de 32Mbits de FeRAM ont également un besoin en énergie moindre par rapport à la Flash, qui nécessite un surplus d’énergie pour enregistrer une donnée contrairement à la FeRAM, ce qui en fait une parfaite candidate pour tous les appareils mobiles!
Les temps d’accès constatés sont, quand à eux, de 50ns pour un cycle de programmation de 75ns. Pas encore la vitesse de la SDRAM, mais beaucoup plus rapide que la Flash où l’on considère que si un cycle prends 200µs (soit 200 000ns !!!) c’est déjà bien ;°)...
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